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光耦合器件目前最大的困扰是什么？
体积大、稳定性差、功耗大、LED老化
目前产品隔离电压等级？两侧电源要求？
2.5KV和5KV；兼容3V/5V。
我正在设计一款新一代产品，产品中使用两个光耦4N33，能用什么型号替代？
GL120XI系列。
抗共模干扰的能力如何？
≥25KV/uS
请问这种隔离技术性能与光电耦合有什么本质区别？设计时需要考虑哪些因素？
用磁耦合，芯片里用半导体工艺做微型线圈，之间加绝缘层，与变压器类似。设计注意输入输出尽量远离，注意CMOS电路本身问题。
请问这种隔离技术，与传统光耦隔离技术相比，其两侧间绝缘、耐压的指标如何？驱动及负载能力如何？
比光耦要优越的多，可隔离2.5KV/5KV，兼容TTL/CMOS。
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